这种走偏中，林奇离开显然有搞笑冲动的推波助澜。
主要从事钙钛矿及量子点太阳能电池研究，女争产设计了效率达到15%的全无机传输层碳电极p-i-n结构钙钛矿太阳能电池，女争产发现了钙钛矿太阳能电池的界面堆积电荷梯度效应，在Nat.Commun.,J.Am.Chem.Soc.,NanoLett.,ACSNano,Adv.Funct.Mater.等期刊发表SCI论文40余篇，SCI引用2000余次，入选ESI高被引论文3篇。结果表明，年留通过在CsPbI3钙钛矿系统中掺入NEA，可观察到较低的α-CsPbI3形成能。
结合以上分析，下多NEA的加入不仅可以低温形成和稳定α-CsPbI3，同时可以钝化α-CsPbI3薄膜中缺陷，提高了光电性能。值得注意，少财即使NEA的含量高达70%，CsPbI3的α相衍射峰的位置没有丝毫移动，这说明NEA没有改变α-CsPbI3的晶格结构，而是附着于其表面。林奇离开c)不同NEA比例的钙钛矿的形成能。
为深入研究NEA对提高α-CsPbI3稳定性的作用机制，女争产我们选择空气环境条件中可以加速了CsPbI3转相变的H2O和O2作为研究对象，并构建不同的吸附模型(图3a)。在Adv.Mater.,J.Am.Chem.Soc.,NanoLett.,Angew.Chem.Int.Ed.等期刊发表SCI论文50余篇，年留第一与通讯作者影响因子10.0以上期刊论文15篇，年留获SCI引用3000余次，ESI高被引论文10篇。
下多图5CsPbI3基钙钛矿LEDs的光电性能分析a)电流密度与驱动电压的关系。
少财图2NEA对CsPbI3基钙钛矿薄膜相结构和发光性能的影响a)不同NEA比例的钙钛矿薄膜的XRD图谱。不同半导体表面聚集的光激发电子和空穴，林奇离开有效地延长了光生载流子的寿命，提高了光催化能力。
女争产（b）B掺杂的g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。年留（c）SnS2纳米片的示意图。
下多（b）B掺杂g-C3N4的示意图。少财（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。
